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特點：擊穿電壓可達1200V，集電極大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作可達20kHz。判斷好壞U（溝槽結構）--IGBT是在管芯上刻槽，芯片元胞內部形成溝槽式柵極。采用溝道結構后，可進一步縮小元胞尺寸，溝道電阻，進步電流密度，制造相同額定電流而芯片尺寸少的產品。現有多家公司生產各種U—IGBT產品，適用低電壓驅動、表面貼裝的要求。IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點，又具有雙極型器件飽和壓而容量大的優點，其特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz范圍內，在現代電力電子技術中了越來越廣泛的應用，在較高的大、率應用中占據了主導地位。輸出特性與轉移特性：臺灣省FZ1800R12KF4_S1,圖片大量現貨臺灣省FZ1800R12KF4_S1,圖片大量現貨臺灣省FZ1800R12KF4_S1,圖片大量現貨臺灣省FZ1800R12KF4_S1,圖片大量現貨FZ1800R12KF4_S1FZ1800R12KF4_S1FZ1800R12KF4_S1FZ1800R12KF4_S1
IGBT 在開通中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降后期， PNP 晶體管由放大區至飽和，又了一段時間。td(on) 為開通時間，tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和，漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。
IGBT 在開通中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降后期， PNP 晶體管由放大區至飽和，又了一段時間。td(on) 為開通時間，tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和，漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。
IGBT的觸發和關斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負向電壓，柵極電壓可由不同的驅動電路產生。當選擇這些驅動電路時，必須基于以下的參數來進行：器件關斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因為IGBT柵極- 發射極阻抗大，故可使用MOSFET驅動技術進行觸發，不過由于IGBT的輸入電容較MOSFET為大，故IGBT的關斷偏壓應該比許多MOSFET驅動電路提供的偏壓更高。
IGBT在關斷中，漏極電流的波形變為兩段。因為MOSFET關斷后，PNP晶體管的存儲電荷難以迅速，造成漏極電流較長的尾部時間，td(off)為關斷時間，trv為電壓Uds(f)的上升時間。實際應用中常常給出的漏極電流的下降時間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成，而漏極電流的關斷時間
t(off)=td(off)+trv十t(f)整流器IR公司的研發重點在于IGBT的拖尾效應，使其能快速關斷，研制的超快速IGBT可大限度地拖尾效應，關斷時間不超過2000ns，采用特殊高能照射分層技術，關斷時間可在100ns以下，拖尾更短，重點產品專為電機控制而設計，現有6種型號，另可用在大功率電源變換器中。臺灣省FZ1800R12KF4_S1,圖片大量現貨臺灣省FZ1800R12KF4_S1,圖片大量現貨臺灣省FZ1800R12KF4_S1,圖片大量現貨臺灣省臺灣省FZ1800R12KF4_S1
式中：td(off)與trv之和又稱為存儲時間。
IGBT的開關速度低于MOSFET，但明顯高于GTR。IGBT在關斷時不需要負柵壓來關斷時間，但關斷時間隨柵極和發射極并聯電阻的而。IGBT的開啟電壓約3～4V，和MOSFET相當。IGBT導通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨柵極電壓的而。IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產物。它的三個極分別是集電極(C)、發射極(E)和柵極(G)。3、NPT-IGBTFZ1800R12KF4_S1FZ1800R12KF4_S1FZ1800R12KF4_S1臺灣省FZ1800R12KF4_S1,圖片大量現貨臺灣省FZ1800R12KF4_S1,圖片大量現貨
正式商用的IGBT器件的電壓和電流容量還很有限，遠遠不能電力電子應用技術發展的需求；高壓領域的許多應用中，要求器件的電壓等級達到10KV以上，目前只能通過IGBT高壓串聯等技術來實現高壓應用。國外的一些廠家如瑞士ABB公司采用軟穿通原則研制出了8KV的IGBT器件，德國的EUPEC生產的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經實際應用，東芝也已涉足該領域。與此同時，各大半導體生產廠商不斷IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠性、低成本技術，主要采用1um以下制作工藝，研制取得一些新進展。2013年9月12日 我國自主研發的高壓大功率3300V/50A IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）芯片及由此芯片封裝的大功率1200A/3300V IGBT模塊通過專家鑒定，自此有了完全自主的IGBT“芯IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區I、放大區II和擊穿區III三部分。IGBT作為開關器件穩態時主要工作在飽和導通區。IGBT的轉移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關系曲線。它與MOSFET的轉移特性相同，當柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關斷狀態。在IGBT導通后的大部分集電極電流范圍內，IC與VGE呈線性關系。若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u的漏電流流過，基本上不消耗功率。臺灣省FZ1800R12KF4_S1,圖片大量現貨臺灣省FZ1800R12KF4_S1,圖片大量現貨臺灣省FZ1800R12KF4_S1,圖片大量現貨臺灣省FZ1800R12KF4_S1,圖片大量現貨FZ1800R12KF4_S1圖片
