產(chǎn)品詳情
簡單介紹：
臺灣省FZ800R12KF4_S1,價(jià)格 大量現(xiàn)貨
詳情介紹：
輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時(shí)，一定要將萬用 表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通，而無法判斷IGBT 的好壞。此同樣也可以用于檢測功率場效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。檢測注意事項(xiàng)3、NPT-IGBT臺灣省FZ800R12KF4_S1,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺灣省FZ800R12KF4_S1,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺灣省FZ800R12KF4_S1,價(jià)格 大量現(xiàn)貨FZ800R12KF4_S1FZ800R12KF4_S1
左邊所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極（即發(fā)射極E）。N基極稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極（即門極G）。溝道在柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel region）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Drain injector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極（即集電極C）IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時(shí)，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時(shí)主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。6、IGBT/FRD臺灣省FZ800R12KF4_S1,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺灣省FZ800R12KF4_S1,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺灣省FZ800R12KF4_S1,價(jià)格 大量現(xiàn)貨FZ800R12KF4_S1FZ800R12KF4_S1。
左邊所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極（即發(fā)射極E）。N基極稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極（即門極G）。溝道在柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel region）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Drain injector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極（即集電極C）IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時(shí)，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時(shí)主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。6、IGBT/FRD臺灣省FZ800R12KF4_S1,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺灣省FZ800R12KF4_S1,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺灣省FZ800R12KF4_S1,價(jià)格 大量現(xiàn)貨FZ800R12KF4_S1FZ800R12KF4_S1。
IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N-層的空穴（少子），對N-層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓特點(diǎn)：擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作可達(dá)20kHz。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導(dǎo)體場控自關(guān)斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極件的低電阻于一體，具有輸進(jìn)阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中極廣泛的應(yīng)用。與此同時(shí)，各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢技術(shù)，主要采用1um以下制作工藝，研制取得一些新進(jìn)展。 [3] NPT（非穿通型）--IGBT采用薄硅片技術(shù)，以離子注進(jìn)發(fā)射區(qū)代替高復(fù)雜、高本錢的厚層高阻外延，可生產(chǎn)本錢25%左右，耐壓越高本錢差越大，在性能上更具有特色，高速、低損耗、正溫度系數(shù)，無鎖定效應(yīng)，在設(shè)計(jì)600—1200V的IGBT時(shí)，NPT—IGBT可靠性高。西門子公司可提供600V、1200V、1700V系列產(chǎn)品和6500V高壓IGBT，并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT，依克賽斯、哈里斯、英特西爾、東芝等公司也相繼研制出NPT—IGBT及其模塊系列，富士電機(jī)、摩托羅拉等在研制之中，NPT型正成為IGBT發(fā)展方向。IGBT與MOSFET的對比：檢測臺灣省FZ800R12KF4_S1,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺灣省FZ800R12KF4_S1,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺灣省FZ800R12KF4_S1,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺灣省FZ800R12KF4_S1,價(jià)格 大量現(xiàn)貨臺灣省FZ800R12KF4_S1,價(jià)格 大量現(xiàn)貨FZ800R12KF4_S1FZ800R12KF4_S1FZ800R12KF4_S1FZ800R12KF4_S1
