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  • 產品名稱:內蒙古自治區BSM100GB120DN2K,價格 大量現貨

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內蒙古自治區BSM100GB120DN2K,價格 大量現貨
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NPT(非穿通型)--IGBT采用薄硅片技術,以離子注進發射區代替高復雜、高本錢的厚層高阻外延,可生產本錢25%左右,耐壓越高本錢差越大,在性能上更具有特色,高速、低損耗、正溫度系數,無鎖定效應,在設計600—1200V的IGBT時,NPT—IGBT可靠性高。西門子公司可提供600V、1200V、1700V系列產品和6500V高壓IGBT,并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT,依克賽斯、哈里斯、英特西爾、東芝等公司也相繼研制出NPT—IGBT及其模塊系列,富士電機、摩托羅拉等在研制之中,NPT型正成為IGBT發展方向。判斷好壞內蒙古自治區BSM100GB120DN2K,價格 大量現貨內蒙古自治區BSM100GB120DN2K,價格 大量現貨內蒙古自治區BSM100GB120DN2K,價格 大量現貨內蒙古自治區BSM100GB120DN2K,價格 大量現貨BSM100GB120DN2KBSM100GB120DN2KBSM100GB120DN2K內蒙古自治區BSM100GB120DN2K,價格 大量現貨
IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。
IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ,正向電壓由J2 結承擔,反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區,則正反向電壓可以做到同樣水平,加入N+緩沖區后,反向關斷電壓只能達到幾十伏水平,因此了IGBT 的某些應用范圍。
IGBT 的轉移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關系曲線。它與MOSFET 的轉移特性相同,當柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時,IGBT 處于關斷狀態。在IGBT 導通后的大部分漏極電流范圍內, Id 與Ugs呈線性關系。高柵源電壓受大漏極電流,其佳值一般取為15V左右。IGBT動態特性
動態特性又稱開關特性,IGBT的開關特性分為兩大部分:一是開關速度,主要指標是開關中各部分時間;另一個是開關中的損耗。
IGBT 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT 處于導通態時,由于它的PNP 晶體管為寬基區晶體管,所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結構,但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。此時,通態電壓Uds(on) 可用下式表示::
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRohU(溝槽結構)--IGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞內部形成溝槽式柵極。采用溝道結構后,可進一步縮小元胞尺寸,溝道電阻,進步電流密度,制造相同額定電流而芯片尺寸少的產品?,F有多家公司生產各種U—IGBT產品,適用低電壓驅動、表面貼裝的要求。輸出特性與轉移特性:IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融合了這兩種器件的優點,既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點,又具有雙極型器件飽和壓而容量大的優點,其特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz范圍內,在現代電力電子技術中了越來越廣泛的應用,在較高的大、率應用中占據了主導地位。內蒙古自治區BSM100GB120DN2K,價格 大量現貨內蒙古自治區BSM100GB120DN2K,價格 大量現貨內蒙古自治區BSM100GB120DN2K,價格 大量現貨BSM100GB120DN2KBSM100GB120DN2K
式中Uj1 —— JI 結的正向電壓,其值為0.7 ~1V ;Udr ——擴展電阻Rdr 上的壓降;Roh ——溝道電阻。
通態電流Ids 可用下式表示:
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中Imos ——流過MOSFET 的電流。整流器IR公司的研發重點在于IGBT的拖尾效應,使其能快速關斷,研制的超快速IGBT可大限度地拖尾效應,關斷時間不超過2000ns,采用特殊高能照射分層技術,關斷時間可在100ns以下,拖尾更短,重點產品專為電機控制而設計,現有6種型號,另可用在大功率電源變換器中。IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產物。它的三個極分別是集電極(C)、發射極(E)和柵極(G)。內蒙古自治區BSM100GB120DN2K,價格 大量現貨內蒙古自治區BSM100GB120DN2K,價格 大量現貨內蒙古自治區BSM100GB120DN2K,價格 大量現貨BSM100GB120DN2KBSM100GB120DN2K
由于N+ 區存在電導調制效應,所以IGBT 的通態壓降小,耐壓1000V的IGBT 通態壓降為2 ~ 3V 。IGBT 處于斷態時,只有很小的泄漏電流存在。
IGBT 在開通中,大部分時間是作為MOSFET 來運行的,只是在漏源電壓Uds 下降后期, PNP 晶體管由放大區至飽和,又了一段時間。td(on) 為開通時間,tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和,漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V,則MOS 截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,在它的柵極—發射極間施加十幾V的直流電壓,只有在u的漏電流流過,基本上不消耗功率。3、NPT-IGBTIGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時,集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似,也可分為飽和區I、放大區II和擊穿區III三部分。IGBT作為開關器件穩態時主要工作在飽和導通區。IGBT的轉移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關系曲線。它與MOSFET的轉移特性相同,當柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時,IGBT處于關斷狀態。在IGBT導通后的大部分集電極電流范圍內,IC與VGE呈線性關系。內蒙古自治區BSM100GB120DN2K,價格 大量現貨內蒙古自治區BSM100GB120DN2K,價格 大量現貨內蒙古自治區BSM100GB120DN2K,價格 大量現貨內蒙古自治區BSM100GB120DN2K,價格 大量現貨BSM100GB120DN2KBSM100GB120DN2K
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