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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:內(nèi)蒙古自治區(qū)FF800R12KL4C,圖片大量現(xiàn)貨

  • 產(chǎn)品型號:
  • 產(chǎn)品廠商:JOONGWON
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簡單介紹:
內(nèi)蒙古自治區(qū)FF800R12KL4C,圖片大量現(xiàn)貨
詳情介紹:
IGBT與MOSFET的對比:IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。IGBT應(yīng)用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區(qū)域,為家電行業(yè)的發(fā)展需求,摩托羅拉、ST半導(dǎo)體、三菱等公司推出低功率IGBT產(chǎn)品,實用于家電行業(yè)的微波爐、洗衣機、電磁灶、電子整流器、照相機等產(chǎn)品的應(yīng)用。內(nèi)蒙古自治區(qū)FF800R12KL4C,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF800R12KL4C,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF800R12KL4C,圖片大量現(xiàn)貨FF800R12KL4CFF800R12KL4CFF800R12KL4CIGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降,轉(zhuǎn)換成一個低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結(jié)構(gòu),同一個雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖鑒于目前廠家對IGBT的非常,三星、快捷等公司采用SDB(硅片直接鍵合)技術(shù),在IC生產(chǎn)線上制作高速IGBT及模塊系列產(chǎn)品,特點為高速,低飽和壓降,低拖尾電流,正溫度系數(shù)易于并聯(lián),在600V和1200V電壓范圍性能優(yōu)良,分為UF、RUF兩大。7、IGBT功率模塊4、SDB--IGBT內(nèi)蒙古自治區(qū)FF800R12KL4C,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF800R12KL4C,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF800R12KL4C,圖片大量現(xiàn)貨將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的集電極(C),紅表筆接IGBT 的發(fā)射極(E),此時萬用表的指針在零位。用同時觸及一下柵極(G)和集電極(C),這時IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用同時觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E),這時IGBT 被,萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT 是好的。FF800R12KL4C
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