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  • 產品名稱:內蒙古自治區FF400R12KT3_E,價格 大量現貨

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內蒙古自治區FF400R12KT3_E,價格 大量現貨
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NPT(非穿通型)--IGBT采用薄硅片技術,以離子注進發射區代替高復雜、高本錢的厚層高阻外延,可生產本錢25%左右,耐壓越高本錢差越大,在性能上更具有特色,高速、低損耗、正溫度系數,無鎖定效應,在設計600—1200V的IGBT時,NPT—IGBT可靠性高。西門子公司可提供600V、1200V、1700V系列產品和6500V高壓IGBT,并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT,依克賽斯、哈里斯、英特西爾、東芝等公司也相繼研制出NPT—IGBT及其模塊系列,富士電機、摩托羅拉等在研制之中,NPT型正成為IGBT發展方向。MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。4、SDB--IGBT內蒙古自治區FF400R12KT3_E,價格 大量現貨內蒙古自治區FF400R12KT3_E,價格 大量現貨內蒙古自治區FF400R12KT3_E,價格 大量現貨內蒙古自治區FF400R12KT3_E,價格 大量現貨FF400R12KT3_EFF400R12KT3_EFF400R12KT3_E內蒙古自治區FF400R12KT3_E,價格 大量現貨
IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。
IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ,正向電壓由J2 結承擔,反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區,則正反向電壓可以做到同樣水平,加入N+緩沖區后,反向關斷電壓只能達到幾十伏水平,因此了IGBT 的某些應用范圍。
IGBT 的轉移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關系曲線。它與MOSFET 的轉移特性相同,當柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時,IGBT 處于關斷狀態。在IGBT 導通后的大部分漏極電流范圍內, Id 與Ugs呈線性關系。高柵源電壓受大漏極電流,其佳值一般取為15V左右。IGBT動態特性
動態特性又稱開關特性,IGBT的開關特性分為兩大部分:一是開關速度,主要指標是開關中各部分時間;另一個是開關中的損耗。
IGBT 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT 處于導通態時,由于它的PNP 晶體管為寬基區晶體管,所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結構,但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。此時,通態電壓Uds(on) 可用下式表示::
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh判斷好壞7、IGBT功率模塊將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的集電極(C),紅表筆接IGBT 的發射極(E),此時萬用表的指針在零位。用同時觸及一下柵極(G)和集電極(C),這時IGBT 被觸發導通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用同時觸及一下柵極(G)和發射極(E),這時IGBT 被,萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT 是好的。內蒙古自治區FF400R12KT3_E,價格 大量現貨內蒙古自治區FF400R12KT3_E,價格 大量現貨內蒙古自治區FF400R12KT3_E,價格 大量現貨FF400R12KT3_EFF400R12KT3_E
式中Uj1 —— JI 結的正向電壓,其值為0.7 ~1V ;Udr ——擴展電阻Rdr 上的壓降;Roh ——溝道電阻。
通態電流Ids 可用下式表示:
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中Imos ——流過MOSFET 的電流。IGBT應用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區域,為家電行業的發展需求,摩托羅拉、ST半導體、三菱等公司推出低功率IGBT產品,實用于家電行業的微波爐、洗衣機、電磁灶、電子整流器、照相機等產品的應用。主要優點:熱性好、工作區大。檢測注意事項內蒙古自治區FF400R12KT3_E,價格 大量現貨內蒙古自治區FF400R12KT3_E,價格 大量現貨內蒙古自治區FF400R12KT3_E,價格 大量現貨FF400R12KT3_EFF400R12KT3_E
由于N+ 區存在電導調制效應,所以IGBT 的通態壓降小,耐壓1000V的IGBT 通態壓降為2 ~ 3V 。IGBT 處于斷態時,只有很小的泄漏電流存在。
IGBT 在開通中,大部分時間是作為MOSFET 來運行的,只是在漏源電壓Uds 下降后期, PNP 晶體管由放大區至飽和,又了一段時間。td(on) 為開通時間,tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和,漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。鑒于目前廠家對IGBT的非常,三星、快捷等公司采用SDB(硅片直接鍵合)技術,在IC生產線上制作高速IGBT及模塊系列產品,特點為高速,低飽和壓降,低拖尾電流,正溫度系數易于并聯,在600V和1200V電壓范圍性能優良,分為UF、RUF兩大。任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時,一定要將萬用 表撥在R×10KΩ擋,因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低,檢測好壞時不能使IGBT 導通,而無法判斷IGBT 的好壞。此同樣也可以用于檢測功率場效應晶體管(P-MOSFET)的好壞。2、U-IGBT內蒙古自治區FF400R12KT3_E,價格 大量現貨內蒙古自治區FF400R12KT3_E,價格 大量現貨內蒙古自治區FF400R12KT3_E,價格 大量現貨內蒙古自治區FF400R12KT3_E,價格 大量現貨FF400R12KT3_EFF400R12KT3_E
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