產(chǎn)品詳情
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IGBT與MOSFET的對比：內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KE4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KE4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KE4,圖片大量現(xiàn)貨FF400R12KE4FF400R12KE4FF400R12KE4IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。整流器IR公司的研發(fā)重點在于IGBT的拖尾效應，使其能快速關(guān)斷，研制的超快速IGBT可大限度地拖尾效應，關(guān)斷時間不超過2000ns，采用特殊高能照射分層技術(shù)，關(guān)斷時間可在100ns以下，拖尾更短，重點產(chǎn)品專為電機控制而設計，現(xiàn)有6種型號，另可用在大功率電源變換器中。內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KE4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KE4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF400R12KE4,圖片大量現(xiàn)貨3、NPT-IGBTFF400R12KE4
