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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:廣西壯族自治區(qū)6MBI225U-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 產(chǎn)品廠商:JOONGWON
  • 產(chǎn)品價(jià)格:0
  • 折扣價(jià)格:0
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡(jiǎn)單介紹:
廣西壯族自治區(qū)6MBI225U-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨
詳情介紹:
缺點(diǎn):擊穿電壓低,工作電流小。整流器IR公司的研發(fā)重點(diǎn)在于IGBT的拖尾效應(yīng),使其能快速關(guān)斷,研制的超快速IGBT可大限度地拖尾效應(yīng),關(guān)斷時(shí)間不超過(guò)2000ns,采用特殊高能照射分層技術(shù),關(guān)斷時(shí)間可在100ns以下,拖尾更短,重點(diǎn)產(chǎn)品專為電機(jī)控制而設(shè)計(jì),現(xiàn)有6種型號(hào),另可用在大功率電源變換器中。IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng),各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術(shù),從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展,其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于變頻調(diào)速外,600A/2000V的IPM已用于電力機(jī)車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB,用于艦艇上的發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB,大大電路接線電感,進(jìn)步效率,現(xiàn)已成功**代IPEM,其中所有的無(wú)源元件以埋層掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱門。廣西壯族自治區(qū)6MBI225U-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨廣西壯族自治區(qū)6MBI225U-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨廣西壯族自治區(qū)6MBI225U-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨廣西壯族自治區(qū)6MBI225U-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨6MBI225U-1206MBI225U-1206MBI225U-120廣西壯族自治區(qū)6MBI225U-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。
IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí),漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ,正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān),反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無(wú)N+緩沖區(qū),則正反向電壓可以做到同樣水平,加入N+緩沖區(qū)后,反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平,因此了IGBT 的某些應(yīng)用范圍。
IGBT 的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET 的轉(zhuǎn)移特性相同,當(dāng)柵源電壓小于開(kāi)啟電壓Ugs(th) 時(shí),IGBT 處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT 導(dǎo)通后的大部分漏極電流范圍內(nèi), Id 與Ugs呈線性關(guān)系。高柵源電壓受大漏極電流,其佳值一般取為15V左右。IGBT動(dòng)態(tài)特性
動(dòng)態(tài)特性又稱開(kāi)關(guān)特性,IGBT的開(kāi)關(guān)特性分為兩大部分:一是開(kāi)關(guān)速度,主要指標(biāo)是開(kāi)關(guān)中各部分時(shí)間;另一個(gè)是開(kāi)關(guān)中的損耗。
IGBT 的開(kāi)關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時(shí),由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管,所以其B 值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu),但流過(guò)MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。此時(shí),通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示::
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的集電極(C),紅表筆接IGBT 的發(fā)射極(E),此時(shí)萬(wàn)用表的指針在零位。用同時(shí)觸及一下柵極(G)和集電極(C),這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通,萬(wàn)用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用同時(shí)觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E),這時(shí)IGBT 被,萬(wàn)用表的指針回零。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的。4、SDB--IGBT判斷好壞廣西壯族自治區(qū)6MBI225U-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨廣西壯族自治區(qū)6MBI225U-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨廣西壯族自治區(qū)6MBI225U-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨6MBI225U-1206MBI225U-120
式中Uj1 —— JI 結(jié)的正向電壓,其值為0.7 ~1V ;Udr ——擴(kuò)展電阻Rdr 上的壓降;Roh ——溝道電阻。
通態(tài)電流Ids 可用下式表示:
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中Imos ——流過(guò)MOSFET 的電流。IGBT應(yīng)用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區(qū)域,為家電行業(yè)的發(fā)展需求,摩托羅拉、ST半導(dǎo)體、三菱等公司推出低功率IGBT產(chǎn)品,實(shí)用于家電行業(yè)的微波爐、洗衣機(jī)、電磁灶、電子整流器、照相機(jī)等產(chǎn)品的應(yīng)用。7、IGBT功率模塊主要優(yōu)點(diǎn):熱性好、工作區(qū)大。檢測(cè)注意事項(xiàng)鑒于目前廠家對(duì)IGBT的非常,三星、快捷等公司采用SDB(硅片直接鍵合)技術(shù),在IC生產(chǎn)線上制作高速IGBT及模塊系列產(chǎn)品,特點(diǎn)為高速,低飽和壓降,低拖尾電流,正溫度系數(shù)易于并聯(lián),在600V和1200V電壓范圍性能優(yōu)良,分為UF、RUF兩大。廣西壯族自治區(qū)6MBI225U-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨廣西壯族自治區(qū)6MBI225U-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨廣西壯族自治區(qū)6MBI225U-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨6MBI225U-1206MBI225U-120
由于N+ 區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),所以IGBT 的通態(tài)壓降小,耐壓1000V的IGBT 通態(tài)壓降為2 ~ 3V 。IGBT 處于斷態(tài)時(shí),只有很小的泄漏電流存在。
IGBT 在開(kāi)通中,大部分時(shí)間是作為MOSFET 來(lái)運(yùn)行的,只是在漏源電壓Uds 下降后期, PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和,又了一段時(shí)間。td(on) 為開(kāi)通時(shí)間,tri 為電流上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常給出的漏極電流開(kāi)通時(shí)間ton 即為td (on) tri 之和,漏源電壓的下降時(shí)間由tfe1 和tfe2 組成。任何指針式萬(wàn)用表皆可用于檢測(cè)IGBT。注意判斷IGBT 好壞時(shí),一定要將萬(wàn)用 表?yè)茉赗×10KΩ擋,因R×1KΩ擋以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低,檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通,而無(wú)法判斷IGBT 的好壞。此同樣也可以用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。2、U-IGBT廣西壯族自治區(qū)6MBI225U-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨廣西壯族自治區(qū)6MBI225U-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨廣西壯族自治區(qū)6MBI225U-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨廣西壯族自治區(qū)6MBI225U-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨6MBI225U-1206MBI225U-120
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