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7、IGBT功率模塊鑒于目前廠家對IGBT的非常,三星、快捷等公司采用SDB(硅片直接鍵合)技術,在IC生產線上制作高速IGBT及模塊系列產品,特點為高速,低飽和壓降,低拖尾電流,正溫度系數易于并聯,在600V和1200V電壓范圍性能優良,分為UF、RUF兩大。廣西壯族自治區6MBI225V-170-50,圖片大量現貨廣西壯族自治區6MBI225V-170-50,圖片大量現貨廣西壯族自治區6MBI225V-170-50,圖片大量現貨6MBI225V-170-506MBI225V-170-506MBI225V-170-50IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征,IGBT了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低的壓降,轉換成一個低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結構,同一個雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡化IGBT驅動器的原理圖4、SDB--IGBT廣西壯族自治區6MBI225V-170-50,圖片大量現貨廣西壯族自治區6MBI225V-170-50,圖片大量現貨廣西壯族自治區6MBI225V-170-50,圖片大量現貨MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。判斷好壞6MBI225V-170-50