產品詳情
簡單介紹：
臺灣省FZ2400R17KE3_B9,型號大量現貨
詳情介紹：
5、超快速IGBT臺灣省FZ2400R17KE3_B9,型號大量現貨臺灣省FZ2400R17KE3_B9,型號大量現貨臺灣省FZ2400R17KE3_B9,型號大量現貨FZ2400R17KE3_B9FZ2400R17KE3_B9FZ2400R17KE3_B9IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征，IGBT了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低的壓降，轉換成一個低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結構，同一個雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅動器的原理圖4、SDB--IGBTIGBT應用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區域，為家電行業的發展需求，摩托羅拉、ST半導體、三菱等公司推出低功率IGBT產品，實用于家電行業的微波爐、洗衣機、電磁灶、電子整流器、照相機等產品的應用。檢測臺灣省FZ2400R17KE3_B9,型號大量現貨臺灣省FZ2400R17KE3_B9,型號大量現貨臺灣省FZ2400R17KE3_B9,型號大量現貨IGBT與MOSFET的對比：FZ2400R17KE3_B9
