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3、NPT-IGBT若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u的漏電流流過，基本上不消耗功率。臺灣省FZ800R12KF4,價格 大量現貨臺灣省FZ800R12KF4,價格 大量現貨臺灣省FZ800R12KF4,價格 大量現貨FZ800R12KF4FZ800R12KF4
左邊所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源極（即發射極E）。N基極稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極（即門極G）。溝道在柵區邊界形成。在C、E兩極之間的P型區（包括P+和P-區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannel region）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Drain injector），它是IGBT特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙極晶體管，起發射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極（即集電極C）IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區I、放大區II和擊穿區III三部分。IGBT作為開關器件穩態時主要工作在飽和導通區。IGBT的轉移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關系曲線。它與MOSFET的轉移特性相同，當柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關斷狀態。在IGBT導通后的大部分集電極電流范圍內，IC與VGE呈線性關系。6、IGBT/FRD特點：擊穿電壓可達1200V，集電極大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作可達20kHz。臺灣省FZ800R12KF4,價格 大量現貨臺灣省FZ800R12KF4,價格 大量現貨臺灣省FZ800R12KF4,價格 大量現貨FZ800R12KF4FZ800R12KF4。
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IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流，使IGBT導通。反之，加反向門極電壓溝道，切斷基極電流，使IGBT關斷。IGBT的驅動和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N-層的空穴（少子），對N-層進行電導調制，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態電壓IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導體場控自關斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極件的低電阻于一體，具有輸進阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中極廣泛的應用。與此同時，各大半導體生產廠商不斷IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢技術，主要采用1um以下制作工藝，研制取得一些新進展。 [3] NPT（非穿通型）--IGBT采用薄硅片技術，以離子注進發射區代替高復雜、高本錢的厚層高阻外延，可生產本錢25%左右，耐壓越高本錢差越大，在性能上更具有特色，高速、低損耗、正溫度系數，無鎖定效應，在設計600—1200V的IGBT時，NPT—IGBT可靠性高。西門子公司可提供600V、1200V、1700V系列產品和6500V高壓IGBT，并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT，依克賽斯、哈里斯、英特西爾、東芝等公司也相繼研制出NPT—IGBT及其模塊系列，富士電機、摩托羅拉等在研制之中，NPT型正成為IGBT發展方向。IGBT與MOSFET的對比：檢測IR公司在IGBT基礎上推出兩款結合FRD（快速恢復二極管）的新型器件，IGBT/FRD有效結合，將轉換狀態的損耗20%，采用TO—247外型封裝，額定規格為1200V、25、50、75、100A，用于電機驅動和功率轉換，以IGBT及FRD為基礎的新技術便于器件并聯，在多芯片模塊中實現更均勻的溫度，進步整體可靠性。臺灣省FZ800R12KF4,價格 大量現貨臺灣省FZ800R12KF4,價格 大量現貨臺灣省FZ800R12KF4,價格 大量現貨臺灣省FZ800R12KF4,價格 大量現貨臺灣省FZ800R12KF4,價格 大量現貨FZ800R12KF4FZ800R12KF4FZ800R12KF4FZ800R12KF4
