任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時，一定要將萬用　表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT 導通，而無法判斷IGBT 的好壞。此同樣也可以用于檢測功率場效應晶體管(P-MOSFET)的好壞。IGBT應用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區域，為家電行業的發展需求，摩托羅拉、ST半導體、三菱等公司推出低功率IGBT產品，實用于家電行業的微波爐、洗衣機、電磁灶、電子整流器、照相機等產品的應用。U（溝槽結構）--IGBT是在管芯上刻槽，芯片元胞內部形成溝槽式柵極。采用溝道結構后，可進一步縮小元胞尺寸，溝道電阻，進步電流密度，制造相同額定電流而芯片尺寸少的產品。現有多家公司生產各種U—IGBT產品，適用低電壓驅動、表面貼裝的要求。IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點，又具有雙極型器件飽和壓而容量大的優點，其特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz范圍內，在現代電力電子技術中了越來越廣泛的應用，在較高的大、率應用中占據了主導地位。臺灣省1SD536F2-FZ1200R33KF2,選型大量現貨臺灣省1SD536F2-FZ1200R33KF2,選型大量現貨臺灣省1SD536F2-FZ1200R33KF2,選型大量現貨臺灣省1SD536F2-FZ1200R33KF2,選型大量現貨臺灣省1SD536F2-FZ1200R33KF2,選型大量現貨臺灣省臺灣省臺灣省1SD536F2-FZ1200R33KF21SD536F2-FZ1200R33KF2【變量2】IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。輸出特性與轉移特性：整流器IR公司的研發重點在于IGBT的拖尾效應，使其能快速關斷，研制的超快速IGBT可大限度地拖尾效應，關斷時間不超過2000ns，采用特殊高能照射分層技術，關斷時間可在100ns以下，拖尾更短，重點產品專為電機控制而設計，現有6種型號，另可用在大功率電源變換器中。IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產物。它的三個極分別是集電極(C)、發射極(E)和柵極(G)。臺灣省1SD536F2-FZ1200R33KF2,選型大量現貨臺灣省1SD536F2-FZ1200R33KF2,選型大量現貨臺灣省1SD536F2-FZ1200R33KF2,選型大量現貨臺灣省1SD536F2-FZ1200R33KF2,選型大量現貨臺灣省臺灣省臺灣省1SD536F2-FZ1200R33KF21SD536F2-FZ1200R33KF21SD536F2-FZ1200R33KF2

IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上；3、NPT-IGBTIGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區I、放大區II和擊穿區III三部分。IGBT作為開關器件穩態時主要工作在飽和導通區。IGBT的轉移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關系曲線。它與MOSFET的轉移特性相同，當柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關斷狀態。在IGBT導通后的大部分集電極電流范圍內，IC與VGE呈線性關系。若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u的漏電流流過，基本上不消耗功率。6、IGBT/FRD臺灣省1SD536F2-FZ1200R33KF2,選型大量現貨臺灣省1SD536F2-FZ1200R33KF2,選型大量現貨臺灣省1SD536F2-FZ1200R33KF2,選型大量現貨臺灣省1SD536F2-FZ1200R33KF2,選型大量現貨臺灣省1SD536F2-FZ1200R33KF2,選型大量現貨選型選型選型1SD536F2-FZ1200R33KF21SD536F2-FZ1200R33KF21SD536F2-FZ1200R33KF2

IGBT模塊具有節能、安裝方便、散熱等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見；

IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣特點：擊穿電壓可達1200V，集電極大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作可達20kHz。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導體場控自關斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極件的低電阻于一體，具有輸進阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中極廣泛的應用。與此同時，各大半導體生產廠商不斷IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢技術，主要采用1um以下制作工藝，研制取得一些新進展。 [3] NPT（非穿通型）--IGBT采用薄硅片技術，以離子注進發射區代替高復雜、高本錢的厚層高阻外延，可生產本錢25%左右，耐壓越高本錢差越大，在性能上更具有特色，高速、低損耗、正溫度系數，無鎖定效應，在設計600—1200V的IGBT時，NPT—IGBT可靠性高。西門子公司可提供600V、1200V、1700V系列產品和6500V高壓IGBT，并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT，依克賽斯、哈里斯、英特西爾、東芝等公司也相繼研制出NPT—IGBT及其模塊系列，富士電機、摩托羅拉等在研制之中，NPT型正成為IGBT發展方向。IGBT與MOSFET的對比：檢測IR公司在IGBT基礎上推出兩款結合FRD（快速恢復二極管）的新型器件，IGBT/FRD有效結合，將轉換狀態的損耗20%，采用TO—247外型封裝，額定規格為1200V、25、50、75、100A，用于電機驅動和功率轉換，以IGBT及FRD為基礎的新技術便于器件并聯，在多芯片模塊中實現更均勻的溫度，進步整體可靠性。臺灣省1SD536F2-FZ1200R33KF2,選型大量現貨臺灣省1SD536F2-FZ1200R33KF2,選型大量現貨臺灣省1SD536F2-FZ1200R33KF2,選型大量現貨1SD536F2-FZ1200R33KF21SD536F2-FZ1200R33KF21SD536F2-FZ1200R33KF21SD536F2-FZ1200R33KF21SD536F2-FZ1200R33KF2