IGBT與MOSFET的對(duì)比：臺(tái)灣省FF150R12KS4_B2,圖片大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FF150R12KS4_B2,圖片大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FF150R12KS4_B2,圖片大量現(xiàn)貨FF150R12KS4_B2FF150R12KS4_B2FF150R12KS4_B2IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個(gè)雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖任何指針式萬用表皆可用于檢測(cè)IGBT。注意判斷IGBT 好壞時(shí)，一定要將萬用　表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通，而無法判斷IGBT 的好壞。此同樣也可以用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。檢測(cè)特點(diǎn)：擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作可達(dá)20kHz。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導(dǎo)體場(chǎng)控自關(guān)斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極件的低電阻于一體，具有輸進(jìn)阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中極廣泛的應(yīng)用。與此同時(shí)，各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢技術(shù)，主要采用1um以下制作工藝，研制取得一些新進(jìn)展。 [3] 臺(tái)灣省FF150R12KS4_B2,圖片大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FF150R12KS4_B2,圖片大量現(xiàn)貨臺(tái)灣省FF150R12KS4_B2,圖片大量現(xiàn)貨6、IGBT/FRDFF150R12KS4_B2