輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：內(nèi)蒙古自治區(qū)FF100R12KS4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF100R12KS4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF100R12KS4,圖片大量現(xiàn)貨FF100R12KS4FF100R12KS4FF100R12KS4IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個(gè)雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡(jiǎn)化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。4、SDB--IGBT判斷好壞內(nèi)蒙古自治區(qū)FF100R12KS4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF100R12KS4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FF100R12KS4,圖片大量現(xiàn)貨將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的集電極(C)，紅表筆接IGBT 的發(fā)射極(E)，此時(shí)萬(wàn)用表的指針在零位。用同時(shí)觸及一下柵極(G)和集電極(C)，這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通，萬(wàn)用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用同時(shí)觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E)，這時(shí)IGBT 被，萬(wàn)用表的指針回零。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的。IGBT應(yīng)用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區(qū)域，為家電行業(yè)的發(fā)展需求，摩托羅拉、ST半導(dǎo)體、三菱等公司推出低功率IGBT產(chǎn)品，實(shí)用于家電行業(yè)的微波爐、洗衣機(jī)、電磁灶、電子整流器、照相機(jī)等產(chǎn)品的應(yīng)用。FF100R12KS4