產(chǎn)品詳情
產(chǎn)品名稱：浙江省6MBI550V-170-50,銷售大量現(xiàn)貨
- 產(chǎn)品型號(hào)：
- 產(chǎn)品廠商：JOONGWON
- 產(chǎn)品價(jià)格：0
- 折扣價(jià)格：0
- 產(chǎn)品文檔：
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簡(jiǎn)單介紹：
浙江省6MBI550V-170-50,銷售大量現(xiàn)貨
詳情介紹：
1、低功率IGBT模塊簡(jiǎn)介輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：首先將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1KΩ擋，用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極(G )其余兩極再用萬(wàn)用表測(cè)量，若測(cè)得阻值為無窮大，調(diào)換表筆后測(cè)量阻值較小。在測(cè)量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。浙江省6MBI550V-170-50,銷售大量現(xiàn)貨浙江省6MBI550V-170-50,銷售大量現(xiàn)貨浙江省6MBI550V-170-50,銷售大量現(xiàn)貨6MBI550V-170-506MBI550V-170-50
左邊所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極（即發(fā)射極E）。N基極稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極（即門極G）。溝道在柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel region）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Drain injector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極（即集電極C）缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。5、超快速IGBTIGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高的大、率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。浙江省6MBI550V-170-50,銷售大量現(xiàn)貨浙江省6MBI550V-170-50,銷售大量現(xiàn)貨浙江省6MBI550V-170-50,銷售大量現(xiàn)貨6MBI550V-170-506MBI550V-170-50。
左邊所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極（即發(fā)射極E）。N基極稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極（即門極G）。溝道在柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel region）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Drain injector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極（即集電極C）缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。5、超快速IGBTIGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高的大、率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。浙江省6MBI550V-170-50,銷售大量現(xiàn)貨浙江省6MBI550V-170-50,銷售大量現(xiàn)貨浙江省6MBI550V-170-50,銷售大量現(xiàn)貨6MBI550V-170-506MBI550V-170-50。
IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N-層的空穴（少子），對(duì)N-層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓U（溝槽結(jié)構(gòu)）--IGBT是在管芯上刻槽，芯片元胞內(nèi)部形成溝槽式柵極。采用溝道結(jié)構(gòu)后，可進(jìn)一步縮小元胞尺寸，溝道電阻，進(jìn)步電流密度，制造相同額定電流而芯片尺寸少的產(chǎn)品。現(xiàn)有多家公司生產(chǎn)各種U—IGBT產(chǎn)品，適用低電壓驅(qū)動(dòng)、表面貼裝的要求。整流器IR公司的研發(fā)重點(diǎn)在于IGBT的拖尾效應(yīng)，使其能快速關(guān)斷，研制的超快速IGBT可大限度地拖尾效應(yīng)，關(guān)斷時(shí)間不超過2000ns，采用特殊高能照射分層技術(shù)，關(guān)斷時(shí)間可在100ns以下，拖尾更短，重點(diǎn)產(chǎn)品專為電機(jī)控制而設(shè)計(jì)，現(xiàn)有6種型號(hào)，另可用在大功率電源變換器中。浙江省6MBI550V-170-50,銷售大量現(xiàn)貨浙江省6MBI550V-170-50,銷售大量現(xiàn)貨浙江省6MBI550V-170-50,銷售大量現(xiàn)貨浙江省6MBI550V-170-50,銷售大量現(xiàn)貨浙江省6MBI550V-170-50,銷售大量現(xiàn)貨6MBI550V-170-506MBI550V-170-506MBI550V-170-506MBI550V-170-50
